المجمع - جامع انهيار الجهد العكسي

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd(SChitec) هي مؤسسة ذات تقنية عالية متخصصة في إنتاج وبيع ملحقات الهاتف. تشمل منتجاتنا الرئيسية شواحن السفر وشواحن السيارات وكابلات USB وبنوك الطاقة والمنتجات الرقمية الأخرى. جميع المنتجات آمنة وموثوقة، مع أنماط فريدة من نوعها. المنتجات تمر بشهادات مثل CE، FCC، ROHS، UL، PSE، C-Tick، إلخ ، إذا كنت مهتمًا، يمكنك الاتصال بـ ceo@schitec.com مباشرة. 

ابق في الشحن بأمان مع SChitec

المجمع - جامع انهيار الجهد العكسي

هذا الجهد هو أقصى جهد عكسي مسموح به بين المجمع والباعث عندما يكون الترانزستور مفتوحًا، ويُشار إليه عمومًا بواسطة VCEO أو BVCEO.

القاعدة - جهد الانهيار العكسي الأساسي

هذا الجهد هو أقصى جهد عكسي مسموح به بين المجمع والقاعدة عندما يكون باعث الترانزستور مفتوحًا، معبرًا عنه بـ VCBO أو BVCBO.

باعث باعث انهيار الجهد العكسي

هذا الجهد هو أقصى جهد عكسي مسموح به بين الباعث والقاعدة عندما يكون مجمع الترانزستور مفتوحًا، كما هو موضح بواسطة VEBO أو BVEBO.

المجمع - عكس ICBO الحالي بين القواعد

يُطلق على ICBO أيضًا اسم تيار التسرب العكسي لوصلة المجمع، والذي يشير إلى التيار العكسي بين المجمع والقاعدة عندما يكون باعث الترانزستور مفتوحًا. ICBO حساس لدرجة الحرارة، وكلما كانت القيمة أصغر، كانت خصائص درجة حرارة الترانزستور أفضل.

المجمع - تيار الانهيار العكسي بين الباعثات يشير ICEO ICEO إلى تيار التسرب العكسي بين المجمع والباعث عندما تكون قاعدة الترانزستور مفتوحة، والمعروف أيضًا باسم تيار الاختراق. كلما كانت القيمة الحالية أصغر، كان أداء الترانزستور أفضل.