قمع EMI لتحويل مصدر الطاقة لنطاقات تردد مختلفة

في تصميم تحويل إمدادات الطاقة، يعد EMI بالتأكيد جزءًا مهمًا جدًا. يواجه العديد من المطورين مشكلة التداخل الكهرومغناطيسي من أجل اجتياز الاختبار بنجاح. ومع ذلك، فإن التداخل الكهرومغناطيسي (EMI) في الدائرة معقد جدًا، كما أن تردد التداخل ليس هو نفسه. تتطلب بعض الاضطرابات الأقل عددًا قليلًا من التعديلات الطفيفة، بينما تتطلب بعض الاضطرابات الأكبر منهجًا متعدد الأوجه. في هذا البحث، تم تقديم طريقة قمع EMI لتحويل مصدر الطاقة لنطاقات تردد مختلفة.

1 ميجا هرتز

ضمن 1 ميجا هرتز، ويرجع ذلك أساسًا إلى تداخل الوضع التفاضلي. الحل هو كما يلي:

يزيد الجهد من سعة X؛

إضافة الحث الوضع التفاضلي.

يمكن معالجة مصدر الطاقة الذكي بواسطة مرشح PI (يوصى باختيار المكثفات الإلكتروليتية القريبة من المحول لتكون أكبر).

1 ميجا هرتز - 5 ميجا هرتز

1 ميجا هرتز-5 ميجا هرتز، مزيج الوضع العام للوضع التفاضلي، يتم استخدام سلسلة من المكثفات X المتصلة بالتوازي عند طرف الإدخال لتصفية التداخل التفاضلي وتحليل نوع التداخل الذي لا يمكن تحمله وحل المشكلة:

يمكن تعديل قدرة الطاقة X عن طريق تداخل وضع الفرق، ويمكن إضافة محاثات وضع الاختلاف لضبط محاثة وضع الاختلاف.

يمكن إضافة محاثة الوضع الشائع لتتجاوز معيار تداخل الوضع الشائع، ويمكن اختيار محاثة معقولة للتثبيط.

يمكن للجهاز أيضًا تغيير خصائص الصمام الثنائي المقوم، وهو زوج من الثنائيات السريعة مثل FR107 وزوج من الثنائيات المعدلة العادية 1N4007.

أكثر من 5 ميغاهيرتز

يتجاوز تداخل اللمس المشترك بشكل أساسي 5 أمتار، ويتم اعتماد طريقة قمع اللمس المشترك. بالنسبة للحالة المؤرضة، فإن سلسلة من الحلقات المغناطيسية حول 2-3 تدور على السلك الأرضي ستخفف من التداخل فوق 10 ميجا هرتز بشكل كبير. يمكن أن تكون قريبة من محول رقائق النحاس اللاصقة ذات النواة الحديدية، حلقة مغلقة من رقائق النحاس. حجم سعة التحويل للممتص والدوائر الكبيرة الأولية لمعالجة مقوم الإخراج الخلفي.

20-30 ميجا هرتز

يمكن للمفتاح ضبط سعة الأرض Y2 أو تغيير موضع السعة Y2.

يتم ضبط موضع السعة Y1 وقيم المعلمات بين الجانبين الأول والثاني بواسطة الهامش.

خبز رقائق النحاس خارج المحول؛ الطبقة الداخلية للمحول محمية. ضبط ترتيب اللفات المحولات.

تم تغيير التربيع PCBLAYOUT؛

جرح محاثة الوضع المشترك الصغير بخط مزدوج أمام خط الإخراج الرئيسي؛

يكون مرشح RC متوازيًا عند طرفي أنبوب مقوم الإخراج ويتم ضبط المعلمات المعقولة.

في هذه اللحظة، يتم إضافة BEADCORE بين المحول وMOSFET.

قم بتطبيق مكثف صغير على طرف جهد الدخل للمحول.

يمكن تشغيل التيار بواسطة مقاوم MOS كبير.