حقل التأثير الترانزستور
Nov 05, 2019| ابق في الشحن بأمان مع SChitec
حقل التأثير الترانزستور
معنى "تأثير المجال" هو أن مبدأ عمل هذا الترانزستور يعتمد على تأثير المجال الكهربائي لأشباه الموصلات.
ترانزستور التأثير الميداني ترانزستور يعمل على مبدأ التأثير الميداني. تحتوي الترانزستورات ذات التأثير الميداني بدورها على نوعين رئيسيين: الوصلات FETs (JFETs) وFETs لأشباه الموصلات المعدنية والأكسيدية (MOS-FETs). على عكس BJT، تكون FETs موصلة كهربائيًا فقط بواسطة نوع واحد من الناقلات (حاملات الأغلبية) وبالتالي يشار إليها أيضًا باسم الترانزستورات أحادية القطب. إنه ينتمي إلى جهاز أشباه الموصلات الذي يتم التحكم فيه بالجهد ويتميز بمزايا مقاومة المدخلات العالية، الضوضاء المنخفضة، استهلاك الطاقة المنخفض، النطاق الديناميكي الكبير، التكامل السهل، عدم وجود عطل ثانوي، ومنطقة عمل آمنة واسعة.
يتمثل تأثير المجال في تغيير اتجاه أو حجم المجال الكهربائي المطبق بشكل عمودي على سطح شبه الموصل للتحكم في كثافة أو نوع حاملات الأغلبية في الطبقة الموصلة لأشباه الموصلات (القناة). إنه تيار مضمن بالجهد في القناة التي يتم نقل تيار تشغيلها بواسطة حاملات الأغلبية في أشباه الموصلات. يسمى هذا الترانزستور الذي يشارك فيه نوع واحد فقط من الناقلات القطبية في التوصيل بالترانزستور أحادي القطب. بالمقارنة مع الترانزستورات ثنائية القطب، تتميز ترانزستورات التأثير الميداني بخصائص مقاومة المدخلات العالية، والضوضاء المنخفضة، والتردد الحدي العالي، واستهلاك الطاقة المنخفض، وعملية التصنيع البسيطة وخصائص درجة الحرارة الجيدة. يتم استخدامها على نطاق واسع في دوائر مكبر الصوت المختلفة والدوائر الرقمية ودوائر الميكروويف. انتظر. تعد ترانزستورات تأثير مجال المجال المصنوعة من أكسيد وأشباه الموصلات القائمة على السيليكون (MOSFETs) وترانزستورات تأثير مجال حاجز شوتكي القائمة على زرنيخيد الغاليوم (MESFETs) من أهم ترانزستورات تأثير المجال. إنها الأجهزة الأساسية للدوائر المتكاملة فائقة السرعة MOS LSI وMES.