وقت هضبة ميلر هو صفر تقريبًا (انظر الشكل 3) ويتم تقليل إجمالي خسارة التبديل بنسبة 70% على الأقل
Oct 19, 2022| وقت هضبة ميلر هو صفر تقريبًا (انظر الشكل 3) ويتم تقليل إجمالي خسارة التبديل بنسبة 70% على الأقل
كما هو موضح في الجدول 1، مع نفس RDS(ON)، فإن نيتريد الغاليوم لديه سعة طفيلية أصغر، وCiss وCrss هما 1/12 و1/23 من Si CoolMOS، على التوالي، مما يؤدي إلى سرعة تبديل أسرع. في ذراع الجسر السريع BTPPFC، يقل وقت تداخل التيار والجهد بأكثر من 88% (انظر الشكل 2). وقت هضبة ميلر هو صفر تقريبًا (انظر الشكل 3) ويتم تقليل إجمالي خسارة التبديل بنسبة 70% على الأقل.
إن Coss of InnoGaN أصغر حجمًا وله خطية أفضل (انظر الشكل 4). عندما يكون Vds منخفضًا، يكون Coss GaN أصغر بكثير من Si MOS، وسيكون لدى Si عملية طفرة منحدر. يمكن أن نرى من شكل موجة النظام أن فقدان تداخل التبديل لـ GaN أقل بكثير من Si MOS، وأن Dv/dt لـ GaN في مقطع t2-t3 أصغر من Si MOS، وبالتالي فإن ضوضاء EMI الناتجة أصغر أيضًا.
