تاريخ تطور الترانزستور
Nov 02, 2019| ابق في الشحن بأمان مع SChitec
تاريخ تطور الترانزستور
في 23 ديسمبر 1947، في مختبرات بيل في موراي هيل، نيوجيرسي، اجتمع ثلاثة علماء - د. قام بادينج والدكتور برايتون والدكتور شاولي بإجراء التجارب بعصبية ومنهجية. إنهم يقومون بتجربة تضخيم الإشارات الصوتية باستخدام بلورات أشباه الموصلات في دوائر الموصلات. تفاجأ ثلاثة علماء عندما وجدوا أن كمية صغيرة من التيار الذي يمر عبر الجهاز الذي اخترعواه يمكن أن يتحكم في تيار أكبر بكثير يتدفق عبر الجزء الآخر، وبالتالي ينتج تأثير التضخيم. يعد هذا الجهاز إنجازًا تاريخيًا في تاريخ العلوم والتكنولوجيا - الترانزستور. لأنه تم اختراعه عشية عيد الميلاد، وله تأثير كبير على حياة الناس المستقبلية، يطلق عليه "هدية عيد الميلاد للعالم". وبذلك فاز العلماء الثلاثة بجائزة نوبل في الفيزياء لعام 1956.
[2] وجد بحث جديد أنه يمكن ترسيب طبقة من المادة المقابلة خارج الركيزة عند نهاية التدفق الخارجي لإلكترون الترانزستور لتشكيل بنية PN مبردة بأشباه الموصلات لأن مستوى طاقة الإلكترون للمادة N منخفض وطاقة الإلكترون مستوى المادة P مرتفع. عند التدفق، من الضروري سحب الحرارة من الركيزة، مما يوفر طريقة جيدة لتبديد حرارة قلب الترانزستور. ونظرًا لأن الحرارة الملتقطة تتناسب مع حجم التيار، فإن الصناعة تطلق على هذه التقنية أيضًا اسم تقنية التبريد "بالدم الإلكتروني". يُطلق على صمامات التبريد الثلاثية الجديدة اسم N-PNP أو NPN-P، اعتمادًا على قطبية المادة الجديدة المضافة.
تعمل الترانزستورات على تعزيز وإحداث "ثورة الحالة الصلبة"، والتي بدورها تقود صناعة إلكترونيات أشباه الموصلات في جميع أنحاء العالم. وباعتبارها عنصرا رئيسيا، فقد تم تطبيقها أولا وقبل كل شيء في أدوات الاتصال في الوقت المناسب وبطريقة عالمية، وأنتجت فوائد اقتصادية هائلة. منذ أن غيرت الترانزستورات بنية الدوائر الإلكترونية بشكل كامل، ظهرت الدوائر المتكاملة والدوائر المتكاملة واسعة النطاق، وأصبح تصنيع الأجهزة عالية الدقة مثل أجهزة الكمبيوتر الإلكترونية عالية السرعة حقيقة واقعة.