ما هي تقنية GAN الخاصة بالشواحن؟

بكل بساطة،جسم صغير ذو قوة عالية.

أحدثت شواحن نيتريد الغاليوم (GaN) ضجة كبيرة في المعرض الدولي للإلكترونيات الاستهلاكية، وهذا البديل الحديث للسيليكون يعني ظهور شواحن ومصادر طاقة أصغر وأكثر كفاءة.

تعد شواحن GaN أصغر حجمًا من أجهزة الشحن الحالية، لأن شواحن GaN لا تتطلب مكونات أقل من شواحن السيليكون. يمكن لهذه المادة توصيل جهد كهربائي أعلى بكثير من السيليكون مع مرور الوقت. لا تعد شواحن GaN أكثر فعالية في نقل التيار فحسب، بل تعني أيضًا فقدان طاقة أقل للحرارة. لذلك، عندما تكون المكونات أكثر كفاءة في نقل الطاقة إلى الجهاز، تكون هناك حاجة عادةً إلى عدد أقل من المكونات. ونتيجة لذلك، ومع انتشار التكنولوجيا على نطاق واسع، سيتم تقليل إمدادات الطاقة وأجهزة الشحن GaN بشكل كبير. هناك فوائد أخرى، مثل تردد التبديل العالي يمكن أن يحقق نقل طاقة لاسلكي أسرع.

نيتريد الغاليوم هي مادة شبه موصلة أصبحت محط اهتمام في التسعينيات من خلال تصنيع مصابيح LED. تم استخدام GaN لإنشاء أول مصابيح LED بيضاء، وأشعة ليزر زرقاء، وشاشات LED كاملة الألوان يمكن رؤيتها خلال النهار. في مشغلات Blu-ray DVD، ينتج GaN الضوء الأزرق الذي يقرأ البيانات من قرص DVD.

يبدو أن GaN سيحل قريبًا محل السيليكون في العديد من المجالات. لقد عمل مصنعو السيليكون بلا كلل لعقود من الزمن لتحسين الترانزستورات القائمة على السيليكون. وفقا لقانون مور، فإن عدد الترانزستورات في دوائر السيليكون المتكاملة يتضاعف كل عامين تقريبا. تم إجراء هذه الملاحظة في عام 1965 وكانت صحيحة بشكل أساسي على مدار الخمسين عامًا الماضية. ومع ذلك، في عام 2010، انخفض تطوير تكنولوجيا أشباه الموصلات إلى ما دون هذه السرعة لأول مرة. ويتوقع العديد من المحللين (ومور نفسه) أنه بحلول عام 2025، سوف يصبح قانون مور عفا عليه الزمن.

زاد إنتاج ترانزستورات GaN في عام 2006. وتعني عملية التصنيع المحسنة أنه يمكن تصنيع ترانزستورات GaN بنفس نوع المعدات مثل السيليكون. وهذا يمكن أن يقلل التكاليف ويشجع المزيد من مصنعي السيليكون على استخدام GaN لإنتاج الترانزستورات.